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紅外激光少子壽命 指半導體中非平衡少數載流子在紅外激光激發下從產生到復合的平均存活時間。 ?測試方法紅外脈沖激光 激發半導體材料,通過 微波光電導衰減法 ( μ-PCD )檢測電導率變化,從而推算少子壽命。該方法利用紅外激光產生非平衡載流子,微波探測器檢測其發射/反射信號的指數衰減規律,通過擬合信號得出壽命值。
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?摻雜濃度?:p型或n型摻雜會影響多數載流子濃度,間接影響少子壽命。 ?
?激光功率與波長?:不同波長激光激發效率不同,功率過高可能破壞樣品,需優化參數。 ?測試設備
少子壽命測試儀 支持4種激光波長(355nm-1480nm),可測量20ns至幾十毫秒的壽命范圍,測試硅晶圓片僅需5分鐘。 ?
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